Datasheet下载- 型号： BAS 116 E6433
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAS 116 E6433由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS 116 E6433价格参考。InfineonBAS 116 E6433封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BAS 116 E6433参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAS 116 E6433 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 80V 0.25A SOT23-3二极管 - 通用，功率，开关 Silicon Low Leakage Diode |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,Infineon Technologies BAS 116 E6433- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bas116series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141c76732b0451 |
| 产品型号 | BAS 116 E6433 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 2pF @ 0V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5nA @ 75V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品种类 | General Purpose Diodes |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BAS116E6433HTMA1 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 1.5µs |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 峰值反向电压 | 85 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 恢复时间 | 1500 ns |
| 最大反向漏泄电流 | 0.005 uA at 75 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 4.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 正向电压下降 | 1.25 V at 0.15 A |
| 正向连续电流 | 0.25 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 80V |
| 电流-平均整流(Io) | 250mA（DC） |
| 系列 | BAS116 |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BAS116E6433HTMA1 SP000010196 |
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